壓力變送器零點(diǎn)電漂移特性指標(biāo)

    用半導(dǎo)體硅集成電路工藝制備壓力變送器已有30多年歷史了，隨著市場(chǎng)需求其每年以20%的速度增長(zhǎng)，競(jìng)爭(zhēng)十分劇烈，但仍存在以下問題迫切需要解決，并應(yīng)引起注意:
    (1)電阻非線性間題突出。力敏電阻依靠p-n結(jié)一與襯底隔離，在p區(qū)側(cè)的耗盡層寬度與外加電壓有關(guān)，故電阻條的有效導(dǎo)電厚度隨外加電壓而變化，表現(xiàn)為非線性，并直接導(dǎo)致零點(diǎn)的電漂移。
    (2)零點(diǎn)電漂移。壓力變送器的特性指標(biāo)除眾所周知的幾個(gè)之外.我們?cè)谏习俅螌?duì)國(guó)內(nèi)外不同品種的壓力傳感器進(jìn)行測(cè)定時(shí)，均發(fā)現(xiàn)了零點(diǎn)電漂移現(xiàn)象，在國(guó)際上我們是領(lǐng)先觀察到并給予定義的。零點(diǎn)電漂移影響壓力傳感器的測(cè)量精度，使靈敏度大大降低。
    (3)熱零點(diǎn)漂移與漏電問題。熱零點(diǎn)漂移是影響壓力傳感器性能的重要指標(biāo)，受到廣泛重視。國(guó)際上認(rèn)為熱零點(diǎn)漂移僅取決于力敏電阻的不等性及其溫度非線性，但我們認(rèn)為熱零點(diǎn)漂移還與力敏阻的反向漏電有關(guān)，對(duì)該理論作出了重要補(bǔ)充，還指出多晶硅可以吸除襯底中的重金屬雜質(zhì)，從而減小力敏電阻的反向漏電、改善熱零點(diǎn)漂移，提高傳感器的性能。

除動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性、噪聲等指標(biāo)外，在國(guó)際上我們首先發(fā)現(xiàn)并提出壓力變送器零點(diǎn)電漂移也應(yīng)作為一個(gè)特性指標(biāo)。
    衡量壓力傳感器性能大致有下列七個(gè)指標(biāo):線性度、靈敏度、重復(fù)性、遲滯、分辨率、漂移、穩(wěn)定性。漂移可分為溫漂、時(shí)漂、力學(xué)蟠變漂移以及電源的不穩(wěn)定性。溫漂又分為熱零點(diǎn)和熱靈敏度移。雖然人們?cè)�提到過電源不穩(wěn)定性造成的漂移，但沒有明確提出過零點(diǎn)電漂移這個(gè)概念，也不把它當(dāng)作一個(gè)可測(cè)定的技術(shù)指標(biāo)。